物理学报
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物理学报  2019, Vol. 68 Issue (10): .      DOI: 10.7498/aps.68.20190265
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InGaZnO薄膜晶体管背板的栅极驱动电路静电释放失效研究
马群刚1,2, 周刘飞3, 喻玥3, 马国永3, 张盛东1,2
1. 北京大学信息工程学院, 深圳 518055;
2. 北京大学信息科学技术学院, 北京 100871;
3. 南京中电熊猫平板显示科技有限公司, 南京 210033
Electro-static discharge failure analysis and design optimization of gate-driver on array circuit in InGaZnO thin film transistor backplane
Ma Qun-Gang1,2, Zhou Liu-Fei3, Yu Yue3, Ma Guo-Yong3, Zhang Sheng-Dong1,2
1. School of Electronic and Computer Engineering, Peking University, Shenzhen 518055, China;
2. School of Electronics Engineering and Computer Science, Peking University, Beijing 100871, China;
3. Nanjing CEC Panda FPD Technology Co., Ltd., Nanjing 210033, China


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