Si(110)和Si(111)衬底上制备InGaN/GaN蓝光发光二极管
物理学报
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物理学报  2014, Vol. 63 Issue (20): 207304     doi:10.7498/aps.63.207304
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Si(110)和Si(111)衬底上制备InGaN/GaN蓝光发光二极管
刘战辉1, 张李骊1, 李庆芳1, 张荣2, 修向前2, 谢自力2, 单云3
1. 南京信息工程大学物理与光电工程学院, 南京 210044;
2. 南京大学电子科学与工程学院, 江苏省光电信息功能材料重点实验室, 南京 210093;
3. 南京晓庄学院生物化工与环境工程学院, 南京 211171
InGaN/GaN blue light emitting diodes grown on Si(110) and Si(111) substrates
Liu Zhan-Hui1, Zhang Li-Li1, Li Qing-Fang1, Zhang Rong2, Xiu Xiang-Qian2, Xie Zi-Li2, Shan Yun3
1. School of Physics and Optoelectronic Engineering, Nanjing University of Information Science and Technology, Nanjing 210044, China;
2. Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China;
3. School of Biochemical and Environmental Engineering, Nanjing Xiaozhuang College, Nanjing 211171, China

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